天桥区工人新村南村街道荣获省“人民满意的公务员集体”称号

导读高熵合金是一种特殊类型的合金材料，天桥体与传统合金不同，它是多种元素而非少数几种主要元素的有序/无序混合。

三个分子在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基质中的吸收光谱表明，区工随着分子在PMMA基质中的浓度增加，区工APD-IID的聚集信号峰表现出明显增强，而1Py-IID和2Py-IID在薄膜态下没有出现明显的聚集峰，这说明APD-IID在固态下具有更强的聚集趋势。从三个分子的薄膜二维掠入射广角X射线散射(2D-GIWAXS)图可以看出，人新o人APD-IID薄膜表现出清晰的衍射点，人新o人而1Py-IID表现出衍射环，2Py-IID表现出衍射弧，这说明APD-IID在固态下的堆积更为有序。

2019年加入南开大学化学学院，村南村街称号依托元素有机化学国家重点实验室独立开展研究工作。图4.APD-IID与其苯型同分异构体(1Py-IID和2Py-IID)的电荷传输性能对比研究综上所述，道荣该工作首次将非苯芳烃APD作为结构基元应用于新型有机半导体材料的创制，道荣并通过与其苯型同分异构体的直接对比，揭示了其独特的电荷分离特征与在半导体器件中的优势。同时，获省APD-IID中给受体之间的扭转角更小，即分子具有更平面的构象，更有利于分子在固态下的紧密堆积。

图1.利用APD电荷分离特征所设计的D-A-D型有机半导体分子APD-IID及其苯型异构体1Py-IID和2Py-IID通过理论计算，民满作者发现在APD-IID的静电势分布图(ESP)中，民满正电荷主要分布在APD的七元环上，而负电荷主要分布在异靛蓝(IID)片段和APD的五元环上，分子整体表现出明显的电荷分离特征(图2)。近日，意的员集该课题组首次以APD作为结构基元，意的员集发展了D-A-D型有机半导体分子APD-IID，通过与基于芘的同分异构体进行对比研究，揭示了非苯型APD衍生物的独特性质及其在有机半导体器件中的优势(图1)。

公务2009年本科毕业于南开大学。

通过对退火温度的优化，天桥体作者发现APD-IID在120°C的退火温度下可以表现出0.20cm2V-1s-1的最高空穴迁移率，天桥体这比其苯型同分异构体的最高迁移率高出一到两个数量级(1Py-IID:7.53×10-3cm2V-1s-1;2Py-IID:4.74×10-2cm2V-1s-1)。大力推广开放获取的欧盟，区工这一比例也仅为12.0%(不计英国则是11.4%)（数据来源：区工开放获取：决心与现实——SCI期刊的OA刊比例及国别统计）而在开放获取实际运用过程中，也催生了一些负面影响。

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